НГУ

1.4. При пропускании тока через образец на положительном полюсе образца р-типа концентрация неосновных носителей уменьшилась. Как называется такой эффект?
2.4. Рассчитать сечение захвата рекомбинационного центра с концентрацией 1010 см -3 .если измеренное при низком уровне инжекции время жизни неосновных носителей заряда в германии при 300 К равно 10 мкс.
3.4. Во сколько раз измениться время жизни электронно-дырочной пары в арсениде галлия n-типа при механизме межзонной рекомбинации, если концентрация неосновных носителей при комнатной температуре увеличилась в 10 раз? 4.4. Построить диаграмму р-n перехода системы p-GaAs (Ev - F = -0.1 эВ)- n-GaN (F=E c- 0.3 эВ)при нулевом и прямом смещении, равном 1.2φк.
5.4. Во сколько раз будут отличаться диффузионные токи электронов и дырок в германии, если градиенты концентрации равны?


ПОМОГИТЕ решить УМНЫЕ лЮДИ